GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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プラズマ照射したGaNの電気特性評価を行い,GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動を調べた.室温において水素プラズマ照射されたSi doped n-GaNにおいては,表面から100から200nmの深さ領域においてSiドナーの不活性化を観測した.同様に,アルゴンプラズマ照射においてもキャリア枯渇を確認できた.しかしながら,窒素プラズマ照射においては同様の変化が確認されないことから,ドナー不活性化が窒素抜けに起因した真性点欠陥に関係していると考えられる.また,プラズマ照射誘起欠陥を有するGaNショットキーダイオードに対して逆バイアスアニールを行い,欠陥の挙動を明らかにした.200℃以下のアニール温度において,逆バイアスを印加すると不活性化していたドナーが再活性化することがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-04
著者
-
落合 俊輔
首都大学東京大学院理工学研究科
-
中村 成志
首都大学東京大学院理工学研究科
-
星野 晃一
首都大学東京大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
中村 成志
首都大学東京
-
奥村 次徳
首都大学東京
-
須原 理彦
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
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