光陽極エッチング・めっき連続プロセスによるGaAsショットキー接触の形成
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概要
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n-GaAsを金属イオンを含む電解溶液中で光陽極エッチングし, 引き続き連続的に金属の電解析出(めっき)を行うことで, 理想ダイオード特性を示すショットキー接触を形成した. その場でエッチングを行っても, わずかに1nm程度の陽極酸化膜が残っているとダイオードのn値は悪くなる. 光陽極反応にともなう過渡電流波形を測定することで, 酸化膜の残存しないエッチング条件を見出すことができることを示した. 4種類の金属(Sn, Pb, Ni, Au)に対するショットキー障壁高さから, 界面係数としてS=O.1の値を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-14
著者
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奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
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奥村 次徳
東京都立大・電気
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兼城 千波
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
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兼城 千波
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻:(現)北海道大学工学部量子界面エレクトロニクス研究センター
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山本 伸一
東京都立大学大学院・工学研究科
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兼城 千波
北大
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奥村 次徳
東京都立大学
-
山本 伸一
東京都立大学大学院・工学研究科:松下電器
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