化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
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概要
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化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオード(TBRTD)の非線形小信号等価回路の同定と回路素子成分のバイアス電圧依存性を実験的に評価した。GaInAs/AlInAs TBRTDのSパラメータを40GHzの範囲で測定し等価回路パラメータ抽出を行った。その結果,量子インダクタンス,量子キャパシタンスの非線形なバイアス電圧依存性がそれぞれ,微分負性コンダクタンスのバイアス依存性と一意の関係があることを実験的に検証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-06
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
直井 護
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
品田 唱秋
東京都立大学工学部電子・情報工学科
-
井城 悠一
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
奥村 次徳
首都大学東京
-
須原 理彦
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
直井 護
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
品田 唱秋
東京都立大学 工学部 電子・情報工学科
-
井城 悠一
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
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