高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2009-07-23

著者

• 中村 成志

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 奥村 次徳

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 高橋 紀行

  首都大学東京

• 中村 成志

  首都大学東京

• 奥村 次徳

  首都大学東京

• 大園 智章

  首都大学東京

関連論文

• AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 人材育成
• C-10-10 テラヘルツ帯オンチップ自己補対アンテナの広帯域特性に対する半導体集積構造の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-11 共鳴トンネルダイオードにおける量子インダクタンスと量子キャパシタンスの評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-12 密度行列のレート方程式解析による共鳴トンネルダイオードの等価回路同定(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• C-10-4 GaAs基板上微小自己補対アンテナのTHz帯放射特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング
• 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• THz帯オンチップ集積型自己補対アンテナの特性解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• B-1-58 スプリットリング/ダブルスタブ共振構造を集積した伝送線路の近傍電磁界測定(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• C-10-9 半導体基板上自己補対アンテナの給電構造が広帯域特性に及ぼす影響の理論解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• ドライエッチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化率評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C-10-4 高周波重畳したGaInP/GaAs三重障壁ダイオードの特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
• B-1-142 ミリ波帯小型平面自己補対スパイラルアンテナの広帯域特性のサイズ依存性(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• B-1-41 左手系伝送線路における漏れ波の周波数及び空間分離性の解析(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 結晶評価技術と表面不活性化技術 (化合物半導体の最近の進歩)
• 電気的過渡応答による方法 (半導体の深い不純物に関する実験技術(技術ノ-ト))
• 概説 (半導体の深い不純物に関する実験技術(技術ノ-ト))
• 水素導入によるp^+シリコン中の欠陥評価用ショットキダイオードの作製(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 半導体界面制御 : 先端デバイスと新材料における界面問題2
• MEMS応用に向けたIII族窒化物半導体積層構造の基礎検討
• Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討
• 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価
• AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-9 共鳴トンネルダイオードを用いた高周波アクティブインダクタの構成(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
• 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)
• 高速原子ビームによるGaAsドライエッチングを用いた共鳴トンネルデバイス作製プロセスの検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 21世紀の技術者・研究者と男女共同参画
• ケルビン-表面光起電力法によるSOIウェーハ表面・界面の定量評価
• SOI層の非接触電気評価 : 紫外光励起による表面光起電力測定
• ED2000-100 InP中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動
• 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• C-2-47 インダクタンスと占有面積を一定とした平面型スパイラルインダクタにおける線幅変調効果の影響の理論解析(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
• B-1-95 小型平面型ログスパイラルアンテナの広帯域特性の端部形状依存性の解析(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),通信1)
• 平面型スパイラルインダクタのサイズスケーリング則と構造最適化に関する理論解析(学生研究会, 学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
• C-2-46 薄膜スパイラルインダクタ諸特性に対するサイズ縮小効果の理論解析(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
• GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• GalnP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるRFインピーダンスの評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• ケルビンフォース顕微鏡を用いたデバイス断面ポテンシャル観測のための一検討
• GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製と評価
• C-10-2 共鳴トンネルダイオードの自励発振に関する数値解析
• 3重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたGaAsP/GaAs伝導帯バンド不連続量の評価
• ED2000-109 共鳴トンネルダイオードにおけるエネルギー障壁高抽出法の検討
• ED2000-106 SOIウェーハ表面・界面の非接触電気評価
• 超高真空中で作製したフタロシアニン系分子配向膜の電気的性質-その場測定による評価
• フタロシアニン分子配向膜の超高真空中における電気的・光学的性質
• キャパシタンス法による「EL2」の測定と結果の解釈〔含 コメント〕 (GaAs中の深い準位EL2をめぐって)
• 表面状態の解析-16-走査型内部光電子放出顕微鏡
• 顕微光応答法によるショットキ-障壁高さの局所領域評価
• 半導体を中心とした固体/固体界面の電気的性質 (色々な界面--その電気的性質)
• 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク