3重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたGaAsP/GaAs伝導帯バンド不連続量の評価
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概要
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GaAs<0.25>P<0.75>/GaAsを用いた3重歪み障壁共鳴トンネルダイオードを作製し、T<100[K]の範囲において微分負性抵抗特性を確認した。このデバイスの電流密度-電圧特性の温度依存性から伝導帯のバンド不連続量(ΔE_C)を評価する手法を提案し、評価を行った。デバイスの持つ直列抵抗成分を考慮して、評価したΔE_Cの値は113〜246[meV]であった。本手法は歪みを持つヘテロ系面のΔE_Cを評価する手法としては有望である。
- 2001-05-30
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大・電気
-
須原 理彦
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
船戸 裕樹
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
Seifert Werner
ルンド大学固体物理学科
-
大木 進
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
Wernersson Lars-Erik
ルンド大学固体物理学科
-
Seifert W
ルンド大学固体物理学科
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