共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
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概要
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微分負性抵抗素子である共鳴トンネルダイオード2個とFET 1個用いて構成する集積型ジャイレータ回路を提案した。2ポート回路であるジャイレータを基本構成要素とすることにより集積型インダクタやトランスなどの受動素子をコイルレスで構成可能なことは従来から知られているが,ここでは本論文で提案する集積型アクティブジャイレータを用いて,従来のスパイラルインダクタなどの金属配線による素子構成では実現が難しいミリ波帯までの広帯域・低損失・省面積な受動素子構成の可能性を示す。具体的にはRTDとHEMTの寄生素子成分を考慮した等価回路モデルを用いて構成したアクティブ集積型インダクタのインダクタンスやQ値の周波数特性解析に対するデバイスパラメータの影響を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-08
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
東京都立大学大学院工学研究科
-
植木 絵理
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
奥村 次徳
首都大学東京
-
須原 理彦
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
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