3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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3重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性のSPICEモデル構築を目指して,ヘテロ構造における電子輸送の物理描像に基づいた解析的連続関数として導出した。得られた解析式は,GaAs系,InP系,SiGe系の3重障壁共鳴トンネルダイオードの実測電流-電圧特性に精度良くフィッティング可能であることがわかり,共鳴準位幅,電圧-エネルギー変換係数の評価に有効であることを示した。
- 2007-01-25
著者
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
奥村 次徳
首都大学東京
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
須原 理彦
首都大学東京大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
奥村 次徳
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
朝岡 直哉
東京都立大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
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