OMVPE 成長 GaInAs/InP ヘテロ界面の成長中断による制御の可能性
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概要
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有機金属気相成長法(OMVPE)によるGaInAs/InP共鳴トンネルダイオードの成長表面を原子間力顕微鏡(AFM)を用いて観察した。成長前の熱処理によりInP基板表面の平坦性が改善されることがわかった。また、ヘテロ界面における成長中断による表面形状制御の可能性について検討し、成長中断時間の変化により原子オーダで表面形状が大きく変化することがわかった。InPバリア表面では、PH_3のみを流す成長中断時間を0.2秒から7分に増やすと、島状テラス形状から[011]方向の1MLステップと2MLステップが混在した形状の変化を、GaInAs量子井戸層表面では、AsH_3のみを流す成長中断時間を5秒から7分に増やすと、[011]方向のうろこ状の形状から[O11]方向の1MLステップ形状の変化を観測し、特にGaInAs表面では、成長中断が表面平坦化に有効であることがわかった。
- 1995-10-20
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
須原 理彦
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
本地 秀考
東京工業大学 工学部電気・電子工学科
-
長尾 宙馬
東京工業大学工学部電気・電子工学科
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