半導体中の不純物組織ドーピングによる散乱抑制 : 散乱確率の格子構造依存性

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概要

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我々は半導体中の不純物イオン散乱を抑制する方法として、不純物イオンを規則的に配置することによって、電子波の干渉を利用し、散乱を抑制する「組織ドーピング」を提案している。これまで、不純物イオンを単純立方格子配置した時には、ブラッグ反射条件以外の波数において顕著な散乱抑制効果があることを示した。しかし、フェルミ面上で散乱確率が増大される点があることがわかった。ここでは、単純立方格子のプリルアンゾーンに比べ、より球に近い第一プリルアンゾーンをもつ面心立方格子状に不純物イオンを規則配置した時の散乱確率を理論解析したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-09-26

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