Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用いたMOSFETが一つの候補として考えられる。今回、駆動能力向上のためInP/InGaAsコンポジットチャネルを有するMOSFETに対して高誘電率ゲート絶縁膜としてALD法を用いてAl_2O_3膜を導入した結果に関して報告する。ドレイン電圧1Vにおける伝達コンダクタンスは最大150mS/mmが得られており、SiO_2をゲート絶縁膜とした場合と比較して駆動能力は若干向上することが分かった。また、デバイス完成後にN_2雰囲気中で350℃のアニールを行うことにより伝達コンダクタンスは270mS/mmまで向上し、サブスレッショルドスロープも731mV/decから179mV/decまで改善されることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-06
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
金澤 徹
東京工業大学
-
若林 和也
東京工業大学
-
齋藤 尚史
東京工業大学
-
寺尾 良輔
東京工業大学
-
田島 智宣
東京工業大学
-
池田 俊介
東京工業大学
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
古屋 一仁
東工大工
-
寺尾 良輔
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
池田 俊介
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
Saito Hisashi
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
-
池田 俊介
東京工業大学大学院理工学研究科
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