EB (電子ビーム) 露光によるGaInAs/InP系ホットエレクトロントランジスタ (HET) の微細化

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概要

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• トラシジスタの高速化には微細化が一つの解決策である。我々は、高速化に適しているInP/GaInAs系ホットエレクトロントランジスタ (HET) をEB (電子ビーム) 露光により作製した。PMMA/LS-SOG/ポリイミドの三層構造を作ることにより、電極窓160nm×350nmのオープニングに成功した。また、エミッタサイズ (0.3×1.5+0.5×1.0)μm^2のHETで、ガンメルプロットによる増幅動作が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-08-13

著者

• 古屋 一仁

  東京工業大学院理工学研究科

• 服部 哲也

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東京工業大学

• 新井 俊希

  東京工業大学電気電子工学科

• 吉永 次郎

  東京工業大学 工学部

• 戸田 博

  東京工業大学 工学部

• 小久保 敦史

  東京工業大学 工学部

• 小久保 敦史

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

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