超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超薄層化されたベース厚においてもプラズモン散乱がベース内のバリスティック輸送に与える影響は無視できないものであり、組成傾斜ベースを用いる事が重要である。また、組成傾斜ベースに関して、傾斜エネルギーとベースエミッタ間の伝導帯バンド不連続エネルギーとの和を一定としてベース走行時間のシミュレーションを行った。最もベース走行時間を縮小できるのは傾斜エネルギーが5kTから7kTの時であるが、比較的傾斜が少ない1〜2kTの場合においても確かな走行時間短縮効果が見られ、20nmのベースにおいて2kTの組成傾斜ベースで傾斜無しの時に比べて、40%のベース走行時間短縮効果が得られた。
- 2009-01-07
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
古屋 一仁
東工大工
-
山田 真之
東京工業大学大学院理工学研究科
-
上澤 岳史
東京工業大学大学院理工学研究科
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