電子波回折とデバイス応用
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概要
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量子位相デバイスの可能性探求のために、半導体中のホットエレクトロン波動の性質を調べ、半導体中に電子波長サイズの構造を形成するための超微細加工プロセスを開発した。このために共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いたコヒーレンス長評価法を提案しGaInAs中のコヒーレンス長は80〜120nm以上であることを実験的に明らかにした。またホットエレクトロン波の実効的な波面広がりを定義し、エミッタのフェルミエネルギーが5meV、温度4Kの場合に60nmと理論的に推定した。有機金属気相成長(OMVPE),電子ビーム露光(EB),化学エッチングの組み合わせにより40nm間隔のスリットとこれの埋め込み後に40nmの精度で位置合わせした70nm周期微細電極の形成を達成した。
- 1995-04-20
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