コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
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概要
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HBTのInPコレクタ層内に低誘電率絶縁体のSiO_2を埋め込んだ素子ではベースコレクタ間容量が低減され、トランジスタの高速動作が期待できる。等価回路解析によると、200nmのSiO_2細線を埋め込むことにより最大発振周波数が2倍程度向上する。幅310nm,厚さ200nmのSiO_2細線をInPサブコレクタとコレクタで埋め込むことに我々は成功したが、SiO_2細線を埋め込むことによるMOVPEでの結晶成長への影響及びエミッタ直下のSiO_2細線によるリークや電流増幅抑制等によるデバイスの劣化が懸念される。そこで、実際にSiO_2細線を埋め込んだ素子を作製し、直流により特性を評価した。エミッタ接地特性においてはSiO_2細線を埋め込んでいない素子とほとんど差がない特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-08
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
古屋 一仁
東工大工
-
山下 浩明
東京工業大学大学院理工学研究科
-
高橋 新之助
東京工業大学大学院理工学研究科
-
三浦 司
東京工業大学大学院理工学研究科
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