埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製
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概要
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コレクタ層下部に局所的に埋め込まれた金属をコレクタ電極として持ちいる、金属埋め込みGaInAs/InP系へテロ接合バイポーラトランジスタを作製するためのプロセス開発を行った。OMVPE法によるタングステンストライプの埋め込み成長では、成長温度600℃、V/III比460、成長レート28nm/minにおいて、幅1μmのタングステンが厚さ1.1μmのInPにより埋め込まれた。タングステンの高密度・極微細化では、新たに考案したステンシルリフトオフ法により、周期140nmのタングステン電極が作製された。埋め込まれたタングステンが電極として動作することを確認する目的で、タングステンメッシュを埋め込んだエミッタメサ面積50×50μm^2のHBTを作製し、直流動作において電流利得12が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-21
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
新井 俊希
東京工業大学電気電子工学科
-
原田 恵充
東京工業大学電気電子工学科
-
飛田 洋
東京工業大学電気電子工学科
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