電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
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概要
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半導体中での電子波の位相コヒーレンス評価に向け、共鳴トンネルダイオード(RTD)の作製とその特性の解析をおこなった。電子波の位相コヒーレンスは、RTDの共鳴準位の広がり(ΔE)から評価できる。2重障壁RTD(DBRTD)を用いて、電極層不純物がみかけのΔEを広げる影響について調べた。作製したDBRTDの特性を解析した結果、RTDのバリアと電極層との間に挿入するスペーサ層を厚くすることによって、この影響を削減できることを明らかにした。また、3重障壁RTD(TBRTD)を用いて位相コヒーレンスの温度による影響の評価を試みた。温度が高くなるにつれ共鳴時の電流密度-電圧特性のピーク形状に広がりが生じる結果が得られた。これは温度によってΔEが広がりを持つ可能性を示している。
- 1997-10-09
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
大保 崇
東京工業大学 工学部 電気・電子工学科
-
須原 理彦
量子効果エレクトロニクス研究センター
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