半導体への不純物組織ドーピングによる電子の散乱抑制

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概要

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我々は、不純物イオン散乱を抑制する方法として、「組織ドーピング」を提案し、すでに、千個の不純物イオンを単純立方格子状に規則配置した時、[001]方向に伝搬する電子波を除いて、電子の散乱確率が1桁以上抑制されることを理論的に示した。しかし、今の技術では不純物イオンの位置を完全に制御することは不可能である。すでに、十分多数の不純物イオンが規則配置傾向にあるとき、移動度が約3倍になることはすでに報告されている。しかし、最近のメゾスコピックデバイスのような、不純物イオン数1000個程度の場合においては未だ解明されていない。そこで、規則配置による散乱抑制の過程を明らかにするためにも、電子の散乱確率の位置精度依存性について理論解析したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-03-27

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