0.1ミクロン幅エミッタを有するInP/GaInAs系Buried Metal-HBTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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0.1μm幅のタングステン細線コレクタを有するInP/GaInAs系ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ(HBT)において、従来、タングステン細線を1本のみ埋め込んだHBTが動作しなかった。この原因は、埋め込むタングステン細線の本数とその上にMOVPEにより成長されるInPの層厚の関係に気付かず、タングステン細線を埋め込む為の成長が不十分だった為であることを見出した。また、エミッタメサ形成時の側壁が同じウエハ内で再現性良く作製出来なかったことも原因と考えられる。今回、1本のタングステン細線を埋め込む為に必要な成長時間を取り、エミッタの為のエッチャントを変える事で、1本のみタングステン細線を埋め込んだHBTの動作に成功し電流利得20を得ることに成功した。エミッタ面積は0.1×0.5μm^2でありこれは、世界最小と考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-07
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
野中 俊宏
東京工業大学大学院理工学研究科
-
竹内 克彦
東京工業大学大学院理工学研究科
-
横山 啓吾
東京工業大学大学院理工学研究科
-
松田 耕治
東京工業大学大学院理工学研究科
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