SiO_2細線埋込InP系HBTにおけるCBr_4を使ったin-situエッチング(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の高速化にとって、ベースコレクタ間容量C_<BC>の削減は重要である。我々はC_<BC>を削減するために、コレクタにSiO_2を埋め込んだSiO_2細線埋込HBT(BG-HBT)を提案している。コレクタに低誘電率のSiO_2を埋め込むことでC_<BC>が削減され最大発振周波数が向上する。等価回路解析の結果、BG-HBTにおいて細線より上のコレクタ層厚を削減することが性能向上につながることがわかった。本研究では、細線埋込プロセスにCBr_4を使ったInPのin-situエッチングを導入し、細線上コレクタ厚の削減を試みた。幅200nm,厚さ100nmの細線埋め込みにおいて、エッチング面を平坦に保ったまま、細線上コレクタ厚を従来の1/4以下に削減することに成功した。エッチングによるInPへのC-ドーピングが、デバイス作製上影響がないことを確認した。
- 2009-06-04
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
齋藤 尚史
東京工業大学
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
古屋 一仁
東工大工
-
武部 直明
東京工業大学大学院理工学研究科
-
山下 浩明
東京工業大学大学院理工学研究科
-
高橋 新之助
東京工業大学大学院理工学研究科
-
小林 嵩
東京工業大学大学院理工学研究科
-
Saito Hisashi
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
関連論文
- HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 (マイクロ波)
- ホットエレクトロンの回折/干渉素子のためのナノ構造アライメント技術
- Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET (電子デバイス)
- III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
- C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- エピタキシャルCaF_2を用いたMIS電子トンネルエミッタのエミッション電流安定化およびta-Cによる電子放出閾価電圧の低下
- 電気光学効果を用いた光偏波面制御
- SiO_2細線埋込InP系HBTにおけるCBr_4を使ったin-situエッチング(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ディフレクトロンによるサブミリ波増幅の解析
- 光ファイバの伝送特性 (光ファイバ通信)
- 外部に高屈折率層の付いたレンズ状媒質の姿態フィルタ特性
- 薄膜レンズ状導波路の集束特性
- プリズム結合器 (光ICへの光結合法(技術ノ-ト))
- 導波路形光共振器 (レ-ザ-共振器(技術ノ-ト))
- 光通信・OEIC (′80年代後半の光産業技術展望)
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製
- CP-1-4 III-Vナノデバイス(CP-1.量子およびナノデバイスロードマップ,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- 埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製
- 埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製
- EB (電子ビーム) 露光によるGaInAs/InP系ホットエレクトロントランジスタ (HET) の微細化
- HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP系バリスティックトランジスタ(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- InP系バリスティックトランジスタ(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製
- ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードによる高温での位相コヒーレンス長評価の可能性
- Gated Tunneling Structures with Buried Tungsten Grating Adjacent to Semiconductor Heterostructures
- Gated Resonant Tunneling Structures with Buried Tungsten Grating Adjacent to Semiconductor Heterostructures
- Proposal for a Solid State Biprism Device
- 半導体中の規則配置不純物イオンによる電子の散乱現象
- 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 半導体ダブルスリットデバイス作製とホットエレクトロン干渉観測
- ホットエレクトロンの回折/干渉素子のための微細加工技術
- CT-1-3 量子効果デバイス研究の展望と課題(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの走行層幅微細化
- W. T. Tsang 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 22; Lightwave Communication Technology, Pts. A〜E, Academic Press, Orlando and London, 1985, 5冊, 24×16cm.
- モンテカルロ計算によるゲート制御ホットエレクトロントランジスタの遮断周波数解析
- コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOVPEによるInP中のSiO_2細線埋め込み成長とそのHBTコレクタ容量低減への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 0.1ミクロン幅エミッタを有するInP/GaInAs系Buried Metal-HBTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- Current Gain and Voltage Gain in Hot Electron Transistors without Base Layer(THz Devices,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- 弾道電子放出顕微鏡によるホットエレクトロン回折実験の数値解析 : 量子相反性成立の起源(量子効果デバイス及び関連技術)
- 弾道電子放出顕微鏡によるホットエレクトロン回折実験の数値解析 : 量子相反性成立の起源(量子効果デバイス及び関連技術)
- BEEMを用いた電子波回折観測法の提案
- BEEMを用いた電子波回折観測法の提案
- C-10-1 走査探針による新しい固体電子干渉検出実験
- C-10-14 半導体ヘテロ構造による電子波面広がり制御の可能性
- ED2000-108 二重障壁共鳴トンネルダイオードを用いた位相コヒーレンス長の評価
- 電子波干渉観測のための固体バイプリズム設計
- 電子波干渉観測のための固体バイプリズム設計
- RTDの共鳴幅評価に及ぼす井戸内不純物イオンの影響解析
- 共鳴トンネルダイオードにおける不純物準位介在トンネルの理論解析
- RTD端子電圧と共鳴準位シフトの間の変換係数
- 半導体ヘテロ接合に隣接した埋め込み微細金属による共鳴トンネル電流の制御
- 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
- 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
- OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング
- OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング
- OMVPE 成長 GaInAs/InP ヘテロ界面の成長中断による制御の可能性
- AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
- AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
- 共鳴トンネルダイオードを用いたGaInAsにおけるホットエレクトロンのコヒーレンス長評価
- Increase in Collector Current in Hot-Electron Transistors Controlled by Gate Bias
- 招待講演 InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source (Silicon devices and materials)
- 招待講演 InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source (Electron devices)
- Vertical InGaAs Channel Metal--Insulator--Semiconductor Field Effect Transistor with High Current Density
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
- HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
- HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
- 特集11 : 研究解説 : コヒーレントホットエレクトロンによる電子波干渉・回折の可能性
- 縦型InGaAs MIS-FETのソース寄生容量の削減
- ホットエレクトロンのコヒーレンス評価のための微細エミッタ共鳴トンネルダイオード
- InP 系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高速化技術
- 電子波回折/干渉デバイス
- 大気中STMによるInP表面加工とInP/GaInAs界面の観察
- 半導体への不純物組織ドーピングによる電子の散乱抑制
- 半導体中の不純物組織ドーピングによる散乱抑制 : 散乱確率の格子構造依存性
- C-10-12 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETの作製・評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 電子波回折とデバイス応用
- 電子波回折とデバイス応用
- 量子効果と回路システムを結び付けるには : 研究のスタンスと電子波デバイス
- 電子波干渉とデバイス化の可能性
- 電子波干渉とコヒーレンス - 電子波デバイス実現のための条件 -
- 電子波へのフ-リエ展開応用の可能性
- 電子波デバイス
- 化学エッチング (量子効果デバイスのための微細プロセス技術(技術ノ-ト))
- 半導体レ-ザ-用4元混晶の有機金属気相成長法
- 外部高屈折率層付誘電体導波路の放射損
- InP/InGaAs Hot Electron Transistors with Insulated Gate
- Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain