古屋 一仁 | 東京工業大学

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概要

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• 東京工業大学の論文著者

関連著者

• 古屋 一仁

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東京工業大学院理工学研究科

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東工大工

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 町田 信也

  東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構crest

• 須原 理彦

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 齋藤 尚史

  東京工業大学

• Saito Hisashi

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

• 金澤 徹

  東京工業大学

• 山田 真之

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 上澤 岳史

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 服部 哲也

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 若林 和也

  東京工業大学

• 寺尾 良輔

  東京工業大学

• 田島 智宣

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学

• 本郷 廣生

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 新井 俊希

  東京工業大学電気電子工学科

• 小久保 敦史

  東京工業大学 工学部

• 小久保 敦史

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 本郷 廣生

  NECグリーンイノベーション研究所

• 諏訪 輝

  東工大

• 諏訪 輝

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 本地 秀考

  東京工業大学 工学部電気・電子工学科

• 長尾 宙馬

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 薗田 大資

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 寺尾 良輔

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 鈴木 淳

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 山下 浩明

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 高橋 新之助

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 原田 恵充

  東京工業大学電気電子工学科

• 飛田 洋

  東京工業大学電気電子工学科

• 倉橋 将樹

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 小口 裕嗣

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 鹿嶋 一生

  株式会社ルネサステクノロジ

• 五十嵐 満彦

  東工大

• 山田 朋宏

  東工大

• 三浦 司

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 五十嵐 満彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 山田 朋宏

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 鹿嶋 一生

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 狩野 裕之

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 深澤 優壽

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 前 堅一

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 平田 朋彦

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 宮本 大悟

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 大保 崇

  東京工業大学 工学部 電気・電子工学科

• 中村 一二三

  東京工業大学 工学部電気・電子工学科

• 中村 一二三

  東京工業大学

• 前 堅一

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 深澤 優壽

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 小泉 竜也

  東京工業大学工学部

• 須原 理彦

  量子効果エレクトロニクス研究センター

• 平田 朋彦

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 宮本 大悟

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 亀卦川 伸孝

  東京工業大学工学部

• 鈴木 淳

  東京工業大学工学部 経営工学科

• 竹村 理一郎

  東京工業大学工学部

• 亀掛川 伸孝

  東京工業大学 工学部

• 古屋 一仁

  東京工業大学大学院:東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 宮本 恭章

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 武部 直明

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 小林 嵩

  東京工業大学大学院理工学研究科

• Seifert W

  Lund Univ. Lund Swe

• 吉永 次郎

  東京工業大学 工学部

• 戸田 博

  東京工業大学 工学部

• Gustafson Boel

  Department Of Solid State Physics University Of Lund

• Gustafson Boel

  ルンド大学固体物理学科

• 長谷川 貴史

  東工大

• Wernersson L‐e

  Solid State Physics/nanometer Structure Consortium Lund University

• 野中 俊宏

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 船山 美也子

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 日野 高宏

  東工大

• 長谷川 貴史

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 日野 高宏

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 石田 昌司

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 山本 徹

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 永瀬 成範

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• ガルト マイク

  東京エ業大学工学部

• 竹内 克彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 横山 啓吾

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 松田 耕治

  東京工業大学大学院理工学研究科

• ガルト マイク

  東京工業大学工学部

• Samuelson L

  Lund Univ. Lund Swe

• Samuelson Lars

  ルンド大学固体物理学科

• Seifert W

  Univ. Lund

• Seifert Werner

  ルンド大学固体物理学科

• Wernersson Lars-Erik

  ルンド大学固体物理学科

• Wernersson Laes-Eeik

  ルンド大学固体物理学科

• 姜 永鉄

  東京工業大学工学部

• Vazquez Francisco

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  ルンド大学固体物理学科

• 古屋 一仁

  東京工業大学工学部

• 宮本 恭幸

  東京工業大学工学部

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著作論文

• ホットエレクトロンの回折/干渉素子のためのナノ構造アライメント技術
• III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
• SiO_2細線埋込InP系HBTにおけるCBr_4を使ったin-situエッチング(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製
• 埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製
• 埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製
• EB (電子ビーム) 露光によるGaInAs/InP系ホットエレクトロントランジスタ (HET) の微細化
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InP系バリスティックトランジスタ(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• InP系バリスティックトランジスタ(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製
• ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製
• 3重障壁共鳴トンネルダイオードによる高温での位相コヒーレンス長評価の可能性
• 半導体中の規則配置不純物イオンによる電子の散乱現象
• 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 半導体ダブルスリットデバイス作製とホットエレクトロン干渉観測
• ホットエレクトロンの回折/干渉素子のための微細加工技術
• CT-1-3 量子効果デバイス研究の展望と課題(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
• コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• MOVPEによるInP中のSiO_2細線埋め込み成長とそのHBTコレクタ容量低減への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 0.1ミクロン幅エミッタを有するInP/GaInAs系Buried Metal-HBTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 弾道電子放出顕微鏡によるホットエレクトロン回折実験の数値解析 : 量子相反性成立の起源(量子効果デバイス及び関連技術)
• 弾道電子放出顕微鏡によるホットエレクトロン回折実験の数値解析 : 量子相反性成立の起源(量子効果デバイス及び関連技術)
• BEEMを用いた電子波回折観測法の提案
• BEEMを用いた電子波回折観測法の提案
• C-10-1 走査探針による新しい固体電子干渉検出実験
• C-10-14 半導体ヘテロ構造による電子波面広がり制御の可能性
• ED2000-108 二重障壁共鳴トンネルダイオードを用いた位相コヒーレンス長の評価
• 電子波干渉観測のための固体バイプリズム設計
• 電子波干渉観測のための固体バイプリズム設計
• RTDの共鳴幅評価に及ぼす井戸内不純物イオンの影響解析
• RTD端子電圧と共鳴準位シフトの間の変換係数
• 半導体ヘテロ接合に隣接した埋め込み微細金属による共鳴トンネル電流の制御
• 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
• 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
• OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング
• OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング
• OMVPE 成長 GaInAs/InP ヘテロ界面の成長中断による制御の可能性
• AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
• AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
• 共鳴トンネルダイオードを用いたGaInAsにおけるホットエレクトロンのコヒーレンス長評価
• ホットエレクトロンのコヒーレンス評価のための微細エミッタ共鳴トンネルダイオード
• InP 系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高速化技術
• 電子波回折/干渉デバイス
• 大気中STMによるInP表面加工とInP/GaInAs界面の観察
• 半導体への不純物組織ドーピングによる電子の散乱抑制
• 半導体中の不純物組織ドーピングによる散乱抑制 : 散乱確率の格子構造依存性
• 電子波回折とデバイス応用
• 電子波回折とデバイス応用
• 量子効果と回路システムを結び付けるには : 研究のスタンスと電子波デバイス
• 電子波干渉とデバイス化の可能性
• 電子波干渉とコヒーレンス - 電子波デバイス実現のための条件 -
• 量子細線構造の形成 (原子層制御から原子制御へ)

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