金澤 徹 | 東京工業大学

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概要

• 同名の論文著者
• 東京工業大学の論文著者

関連著者

• 金澤 徹

  東京工業大学

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 寺尾 良輔

  東京工業大学

• 渡辺 正裕

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 金澤 徹

  東工大総理工

• Watanabe M

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• Watanabe Mahiko

  Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University

• Watanabe M

  Nec Corp. Ibaraki Jpn

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 渡辺 正裕

  東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構SORST

• 古屋 一仁

  東京工業大学院理工学研究科

• 齋藤 尚史

  東京工業大学

• 若林 和也

  東京工業大学

• 田島 智宣

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 米内 義晴

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 寺尾 良輔

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 米内 義晴

  東京工業大学

• 自念 圭輔

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 松田 克己

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 古屋 一仁

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東工大工

• Saito Hisashi

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

• 加藤 淳

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 田村 信平

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 藤岡 裕智

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 石川 達也

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻

• 宮本 恭幸

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 石川 達也

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理情報システム創造専攻

• 山口 裕太郎

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 宮本 恭幸

  東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻

• 金澤 徹

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

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著作論文

• Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET (マイクロ波)
• Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET (電子デバイス)
• III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
• ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
• ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
• Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
• Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
• ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性
• ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性
• ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード
• ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製
• CP-1-4 III-Vナノデバイス(CP-1.量子およびナノデバイスロードマップ,パネルセッション,ソサイエティ企画)
• 裏面電極を有する3-5族量子井戸型チャネルMOSFET (マイクロ波)
• 裏面電極を有する3-5族量子井戸型チャネルMOSFET (電子デバイス)
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
• 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-11 ソース裏面電極によるInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFETのアクセス抵抗低減(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-10 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• InGaAs MOSFETの高電流密度化(招待講演,ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFETの高電流密度化
• InGaAs MOSFET の高電流密度化

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