齋藤 尚史 | 東京工業大学
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概要
関連著者
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齋藤 尚史
東京工業大学
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Saito Hisashi
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
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宮本 恭幸
東京工業大学
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古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
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金澤 徹
東京工業大学
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若林 和也
東京工業大学
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寺尾 良輔
東京工業大学
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田島 智宣
東京工業大学
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池田 俊介
東京工業大学
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古屋 一仁
東工大工
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古屋 一仁
東京工業大学
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Furuya Kazuhito
Department Of Electrical And Electronic Engineering
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Miyamoto Yasuyuki
Department Of Electrical And Electronic Engineering
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Saito Hisashi
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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寺尾 良輔
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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池田 俊介
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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池田 俊介
東京工業大学大学院理工学研究科
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SAITO Hisashi
Department of Internal Medicine, Kido Hospital
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MIYAMOTO Yasuyuki
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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FURUYA Kazuhito
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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Saito Hisahi
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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Kanazawa Toru
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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Miyamoto Yasuyuki
Department Of Electrical And Electronic Engineering Tokyo Institute Of Technology
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Kanazawa Toru
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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Furuya Kazuhito
Tokyo Institute Of Technology
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Miyamoto Yasuyuki
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Miyamoto Yasuyuki
Tokyo Institute of Technology
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大野 真也
東工大
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武部 直明
東京工業大学大学院理工学研究科
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山下 浩明
東京工業大学大学院理工学研究科
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高橋 新之助
東京工業大学大学院理工学研究科
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小林 嵩
東京工業大学大学院理工学研究科
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長谷川 貴史
東工大
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齋藤 尚史
東工大
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諏訪 輝
東工大
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日野 高宏
東工大
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五十嵐 満彦
東工大
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宮本 恭幸
東工大
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古屋 一仁
東工大・JST-CREST
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諏訪 輝
東京工業大学大学院理工学研究科
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日野 高宏
東京工業大学大学院理工学研究科
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Suwa Akira
Department Of Internal Medicine And Pathology School Of Medicine Keio University
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松本 豊
東京工業大学
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Matsumoto Yutaka
Department Of Material Physics Faculty Of Engineering Science Osaka University
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藤松 基彦
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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Hasegawa Takashi
Department Of Biology Division Of Natural Science International Christian University
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Furuya Kazuhito
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-2 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Furuya Kazuhito
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
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Hino Takahiro
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
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Oono Masaya
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
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Matsumoto Yutaka
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-2 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Miyamoto Yasuyuki
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-2 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Hasegawa Takashi
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
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藤松 基彦
東京工業大学大学院理工学研究科
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藤松 基彦
東京工業大学
著作論文
- Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET (電子デバイス)
- III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
- SiO_2細線埋込InP系HBTにおけるCBr_4を使ったin-situエッチング(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製
- 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの走行層幅微細化
- 招待講演 InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source (Silicon devices and materials)
- 招待講演 InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source (Electron devices)
- Vertical InGaAs Channel Metal--Insulator--Semiconductor Field Effect Transistor with High Current Density
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
- 縦型InGaAs MIS-FETのソース寄生容量の削減
- C-10-12 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETの作製・評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP/InGaAs Hot Electron Transistors with Insulated Gate
- Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain