藤松 基彦 | 東京工業大学大学院理工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 東京工業大学大学院理工学研究科の論文著者

関連著者

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 藤松 基彦

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 藤松 基彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 池田 俊介

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 平井 準

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 柏野 壮志

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 齋藤 尚史

  東京工業大学

• Saito Hisashi

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

• 藤松 基彦

  東京工業大学

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著作論文

• C-10-12 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETの作製・評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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