宮本 恭幸 | 東京工業大学

スポンサーリンク

概要

• 宮本 恭幸の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 東京工業大学の論文著者

関連著者

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東京工業大学院理工学研究科

• 古屋 一仁

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東工大工

• 金澤 徹

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 齋藤 尚史

  東京工業大学

• 山田 真之

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

• 須原 理彦

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 上澤 岳史

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 池田 俊介

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 寺尾 良輔

  東京工業大学

• Saito Hisashi

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社

• 山口 裕太郎

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 若林 和也

  東京工業大学

• 田島 智宣

  東京工業大学

• 山中 宏治

  三菱電機 情報技総研

• 山口 裕太郎

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• 宮本 恭幸

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 米内 義晴

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 寺尾 良輔

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 米内 義晴

  東京工業大学

• 平井 準

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 林 一夫

  三菱電機株式会社

• 柏野 壮志

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社

• 内田 建

  東京工業大学

• 諏訪 輝

  東工大

• 五十嵐 満彦

  東工大

• 諏訪 輝

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 宮本 恭幸

  東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻

• Yamanaka Koji

  Information Technology R&d Center

• 藤松 基彦

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 大塚 浩志

  三菱電機

• 藤松 基彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 服部 哲也

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 山中 宏治

  三菱電機

• 新井 俊希

  東京工業大学電気電子工学科

• 小久保 敦史

  東京工業大学 工学部

• 小久保 敦史

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 町田 信也

  東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構crest

• 山田 朋宏

  東工大

• 本地 秀考

  東京工業大学 工学部電気・電子工学科

• 長尾 宙馬

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 薗田 大資

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 加藤 淳

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 中山 正敏

  三菱電機

• 藤松 基彦

  東京工業大学

• 本郷 廣生

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 宮本 恭幸

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 内田 建

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 山下 浩明

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 高橋 新之助

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 原田 恵充

  東京工業大学電気電子工学科

• 飛田 洋

  東京工業大学電気電子工学科

• 倉橋 将樹

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 小口 裕嗣

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 半野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 長谷川 貴史

  東工大

• 鹿嶋 一生

  株式会社ルネサステクノロジ

• MIYAMOTO Yasuyuki

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• FURUYA Kazuhito

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 本郷 廣生

  NECグリーンイノベーション研究所

• 日野 高宏

  東工大

• 古屋 一仁

  東工大・JST-CREST

• 三浦 司

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 日野 高宏

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 五十嵐 満彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 山田 朋宏

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 鹿嶋 一生

  東京工業大学大学院理工学研究科

• KASHIMA Issei

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• Kashima Issei

  Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology

• 大保 崇

  東京工業大学 工学部 電気・電子工学科

• 中村 一二三

  東京工業大学 工学部電気・電子工学科

• 中村 一二三

  東京工業大学

• 小泉 竜也

  東京工業大学工学部

• 須原 理彦

  量子効果エレクトロニクス研究センター

• 井上 晃

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 鈴木 淳

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 井上 晃

  三菱電機株式会社

• 南條 拓真

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 柳生 栄治

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 齋藤 渉

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 斎藤 渉

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 大野 真也

  東工大

• 柳生 栄治

  三菱電機株式会社

• 林 一夫

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 丸山 武男

  量子効果エレクトロニクス研究センター

• 大島 一好

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 渡辺 正裕

  量子効果エレクトロニクス研究センター

• 武部 直明

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 小林 嵩

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 吉永 次郎

  東京工業大学 工学部

• 戸田 博

  東京工業大学 工学部

• Watanabe M

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• ISHIDA Masashi

  Department of Orthopaedics, Graduate School of Medical Science, Kyoto Prefectural University of Medi

• MACHIDA Nobuya

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 南條 拓真

  三菱電機

• SUWA Akira

  Department of Rheumatic Diseases, Tokyo Metropolitan Ohtsuka Hospital

• Watanabe Mahiko

  Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 野中 俊宏

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 船山 美也子

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 齋藤 尚史

  東工大

• 宮本 恭幸

  東工大

• Nakagawa Ryo

  Department of Biotechnology, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 宮本 恭幸

  東工大・JST-CREST

• 上澤 岳史

  東工大

• 長谷川 貴史

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 石田 昌司

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 山本 徹

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 竹内 克彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 横山 啓吾

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 松田 耕治

  東京工業大学大学院理工学研究科

• Suwa Akira

  Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology

• Nakagawa Ryo

  Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology

• Nakagawa Ryo

  Department Of Biotechnology Graduate School Of Engineering Nagoya University

• Ishida Masashi

  Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology

• Ishida Masashi

  Department Of Chemistry Nagoya University

• Machida Nobuya

  Department Of Chemistry Konan University

• Furuya Kazuhito

  Department Of Electrical And Electronic Engineering

• 柳生 栄治

  三菱電機

• Machida Nobuya

  Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology:crest Japan Science And Technology

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• Miyamoto Yasuyuki

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Tokyo Institute Of Technology

• 姜 永鉄

  東京工業大学工学部

• 松本 豊

  東京工業大学

• Vazquez Francisco

  東京工業大学

• 金澤 徹

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• Miyamoto Yasuyuki

  Department Of Electrical And Electronic Engineering

• 小山 英寿

  三菱電機株式会社

• 小山 英寿

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• Furuya Kazuhito

  Tokyo Institute Of Technology

• 南條 拓真

  三菱電機株式会社

• Miyamoto Yasuyuki

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• 山田 真之

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 古屋 一仁

  東京工業大学工学部

• 鈴木 淳

  東京工業大学工学部 経営工学科

• Miyamoto Yasuyuki

  Tokyo Institute of Technology

• 佐々木 肇

  三菱電機株式会社

• 宮本 恭幸

  東京工業大学工学部

• 上澤 岳史

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 宮本 恭幸

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 林 一夫

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 山口 裕太郎

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 秦 雅彦

  住友化学株式会社

• 林 一夫

  三菱電機

• 佐賀井 健

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 上原 英治

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 大澤 一斗

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 圭司

  産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 入沢 寿史

  産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 守山 佳彦

  産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 小田 穣

  産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 三枝 栄子

  産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター

• JEVASUWAN Wipakorn

  産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 前田 辰郎

  産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 市川 麿

  住友化学株式会社

• 長田 剛規

  住友化学株式会社

• 手塚 勉

  産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター

もっと見る 閉じる

著作論文

• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 (マイクロ波)
• Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET (電子デバイス)
• III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
• C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• エピタキシャルCaF_2を用いたMIS電子トンネルエミッタのエミッション電流安定化およびta-Cによる電子放出閾価電圧の低下
• SiO_2細線埋込InP系HBTにおけるCBr_4を使ったin-situエッチング(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ディフレクトロンによるサブミリ波増幅の解析
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製
• CP-1-4 III-Vナノデバイス(CP-1.量子およびナノデバイスロードマップ,パネルセッション,ソサイエティ企画)
• 埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製
• 埋め込みタングステンメッシュをコレクタ電極として使用したHBTの作製
• EB (電子ビーム) 露光によるGaInAs/InP系ホットエレクトロントランジスタ (HET) の微細化
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InP系バリスティックトランジスタ(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• InP系バリスティックトランジスタ(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製
• ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製
• CI-2-2 HMET,HBTによるTHz波源(CI-2.テラヘルツ波源デバイスの現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• 真空中偏向ビームによるサブミリ波増幅の解析
• 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 半導体ダブルスリットデバイス作製とホットエレクトロン干渉観測
• ホットエレクトロンの回折/干渉素子のための微細加工技術
• 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの走行層幅微細化
• モンテカルロ計算によるゲート制御ホットエレクトロントランジスタの遮断周波数解析
• コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• MOVPEによるInP中のSiO_2細線埋め込み成長とそのHBTコレクタ容量低減への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 0.1ミクロン幅エミッタを有するInP/GaInAs系Buried Metal-HBTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• Current Gain and Voltage Gain in Hot Electron Transistors without Base Layer(THz Devices,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
• 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
• 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析
• OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング
• OMVPE成長InP単原子層ステップ表面へのSi-δドーピング
• OMVPE 成長 GaInAs/InP ヘテロ界面の成長中断による制御の可能性
• AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
• AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
• 共鳴トンネルダイオードを用いたGaInAsにおけるホットエレクトロンのコヒーレンス長評価
• Increase in Collector Current in Hot-Electron Transistors Controlled by Gate Bias
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
• InP系極微細ヘテロ接合トランジスタ
• 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 縦型InGaAs MIS-FETのソース寄生容量の削減
• ホットエレクトロンのコヒーレンス評価のための微細エミッタ共鳴トンネルダイオード
• InP 系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高速化技術
• 大気中STMによるInP表面加工とInP/GaInAs界面の観察
• C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-11 ソース裏面電極によるInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFETのアクセス抵抗低減(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-10 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-12 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETの作製・評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 電子線リソグラフィーによる数10nmオーダーの微細加工技術 (特集 ナノ加工技術)
• C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• InGaAs MOSFETの高電流密度化(招待講演,ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFETの高電流密度化
• InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討
• InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討
• InGaAs MOSFET の高電流密度化
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 量子細線構造の形成 (原子層制御から原子制御へ)
• C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 縦型ゲート制御ホットエレクトロントランジスタの新しい遮断周波数算出方法(半導体材料・デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
• C-10-1 ソースフィールドプレートGaN HEMTのドレインソース間容量とドレイン抵抗のトレードオフの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• CI-2-4 超高速トランジスタ技術の現状と展望(CI-2.ミリ波・テラヘルツ波応用に向けた電子デバイス・回路研究開発の現状と展望,依頼シンポジウム)
• C-10-8 n-InPソースを持つTゲート構造InGaAs-MOSFETの高周波特性(C-10.電子デバイス)
• MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化
• AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク