齋藤 渉 | 東京工業大学工学部電気電子工学科

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概要

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関連著者

• 齋藤 渉

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 斎藤 渉

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 山崎 克之

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

• 渡辺 正裕

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 筒井 将史

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

• 齋藤 渉

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

• Watanabe M

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• Watanabe Mahiko

  Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 河野 義史

  東京工業大学工学部

• 河野 義史

  東京工業大学 工学部

• 青木 雄一

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 末益 崇

  東京工業大学 工学部:筑波大学物質工学系

• 森 郁

  東京工大 工

• 西山 淳

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 森 郁

  東京工業大学工学部

• 森 郁

  東京工業大学 工学部

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 丸山 武男

  量子効果エレクトロニクス研究センター

• 宮本 恭幸

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 大島 一好

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 渡辺 正裕

  量子効果エレクトロニクス研究センター

• 伊藤 淳

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 山上 滋春

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 漉辺 正裕

  東京工業大学工学部電気電子工学科

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著作論文

• エピタキシャルCaF_2を用いたMIS電子トンネルエミッタのエミッション電流安定化およびta-Cによる電子放出閾価電圧の低下
• シリコン基板上の結合チャネル型電界制御量子効果デバイスの解析
• Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
• Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
• Si基板上CoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造を用いた極短チャネルトンネルFETの静特性と動作時間解析
• SOI基板上サブ50nm金属ゲートSchottky Source/Drain MOSFET
• シリコン基板上に形成した金属/絶縁体量子効果デバイス
• 金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)/Siヘテロ接合量子効果デバイス
• 金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの等価回路モデルによる特性評価

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