金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)/Siヘテロ接合量子効果デバイス
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概要
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Si(111)基板上に金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)極薄膜ヘテロ構造のエピタキシャル成長を行い、量子効果デバイスを作製した。結晶成長は、CaF_2上のCoSi_2に対してはSi層をエピタキシャル成長した後にCoの落着と室温固相成長を用いる2段階成長法、CoSi_2上のCaF_2に対してはCaF_2ビームのイオン化加速による450℃の低温成長により行った。この多層構造を用いて共鳴トンネルトランジスタを作製し、室温においてピークバレー比約19の微分負性抵抗を有するトランジスタ動作を達成した。また、金属層に挟まれた絶縁層の伝導帯におけるホットエレクトロンの干渉を用いた量子干渉トランジスタを作製し、室温において干渉による多重微分負性抵抗特性を観測した。最後に、入力インピーダンスの点で回路構成に有利な電界制御型量子効果デバイスの基礎となる素子として、CoSi_2/CaF_2/CdF_2/Siヘテロ構造による短チャネルトンネルトランジスタの提案と動作解析について示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-04-25
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
齋藤 渉
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
斎藤 渉
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
末益 崇
東京工業大学 工学部:筑波大学物質工学系
-
森 郁
東京工大 工
-
森 郁
東京工業大学工学部
-
河野 義史
東京工業大学工学部
-
森 郁
東京工業大学 工学部
-
河野 義史
東京工業大学 工学部
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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