Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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弗化物系ヘテロ構造CdF_2/CaF_2はSi基板上にエピタキシャル成長可能であり、伝導帯バンド不連続が非常に大きいため、Si基板上サブバンド間遷移光デバイス実現へ向け非常に有望な材料系である。今回、この材料系を用いたサブバンド間遷移レーザ構造を具体的に考案し、理論解析によりレーザのしきい値電流密度を計算した。低温におけるしきい値電流密度は、活性層の周期数が約10周期以上で5kA/cm^2以下となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-25
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
内田 薫
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
自念 圭輔
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
小平 新志
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構SORST
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