Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
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概要
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弗化カルシウム(CdF_2)、弗化カドミウム(CdF_2)はシリコン(Si)基板上にエピタキシャル成長可能であり、これを用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)やサブバンド間遷移(ISBT)を用いた光デバイスは、高速・高機能な量子効果デバイスを構成する材料系として有望である。CdF_2/CaF_2ヘテロ界面には〜2.9eVの伝導体バンド不連続があるため、従来のサブバンド間遷移レーザでは不可能であった近赤外領域での発光が期待できる。我々は(CdF_2/CaF_2)を活性層に用いたサブバンド間遷移レーザ(量子カスケードレーザ)を提案し、しきい値電流密度の解析及び作製した(CdF_2/CaF_2)活性層からEL発光を観測した。本報告では、CdF_2/CaF_2サブバンド間遷移レーザ構造からのEL発光特性について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-20
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
内田 薫
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
自念 圭輔
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
小平 新志
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
菊池 毅
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構SORST
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