ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード
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概要
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シリコン基板上に積層エピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF_2)と弗化カドミウム(CdF_2)を用いたへテロ接合は、その接合界面に大きな(〜2.9eV)の伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、CdF_2/CaF_2ヘテロ構造の結晶成長を原子層厚レベルで制御するため、結晶成長領域を100nm程度の微細な領域に限定するナノ領域エピタキシーを提案し、CdF_2-CaF_2二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)の微分負性抵抗特性評価を行った。また、この方法を適用してシリコン(100)基板上に作成したCdF_2/CaF_2RTDにおいて、はじめて室温微分負性抵抗特性を観測したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
金澤 徹
東京工業大学
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
金澤 徹
東工大総理工
-
松田 克己
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
石川 達也
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
石川 達也
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理情報システム創造専攻
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構SORST
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