Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物CdF_2/CaF_2,超ヘテロ構造は、共鳴トンネル伝導やサブバンド間光一電子相互作用を基本原理とし、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として有望である。CdF_2/CaF_2の接合界面には大きな(〜2.9eV)の伝導帯バンド不連続があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。これまで、基板面方位としてはシリコン(111)基板が選択されることが多く、主に表面エネルギーの観点からSi(100)基板は弗化物系材料の薄膜エピタキシャル成長に不利とされてきたが、近年、著者らは、水素終端化処理や傾斜基板のステップ制御を導入することにより、Si(100)基板上にCdF_2/CaF_2量子構造が形成可能であることを見出した。本報告では、Si(100)2° off 基板上に形成した2重障壁共鳴トンネルダイオード構造の結晶成長と、その室温微分負性特性、および、その量子井戸層厚依存性に関して議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-23
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
金澤 徹
東京工業大学
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
自念 圭輔
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
金澤 徹
東工大総理工
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構SORST
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