Dependence of Drain Current on Gate Oxide Thickness of P-Type Vertical PtSi Schottky Source/Drain Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors(Semiconductors)
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-01-15
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
ASADA Masahiro
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Asada Masahiro
Interdisciplinary Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
TSUTSUI Masafumi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Tsutsui Masafumi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Tokyo Institute Of Technology
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