ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物弗化カルシウム(CaF_2)とシリサド系金属コバルトシリサイド(CoSi_2)を組み合わせたヘテロ量子構造は、共鳴トンネルやサブバンドを利用し、なおかつ、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として魅力的である。CoSi_2/CaF_2の接合界面には大きな伝導帯バンド不連続(∿3eV相当)があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。近年、著者らは弗化物ヘテロ構造の精密結晶成長法として、100nm以下の微小孔中にエピタキシャル成長を行うローカルエピタキシー法を提案し、CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗の精密制御を達成してきたが、今回、本手法をCoSi_2/CaF_2ヘテロ構造に適用し、三重障壁共鳴トンネルダイオード構造を作製・評価したところ、室温におけるpeak to valley比の大幅な改善が見られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-20
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
金澤 徹
東京工業大学
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
自念 圭輔
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
金澤 徹
東工大総理工
-
田村 信平
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構SORST
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