エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFETの高電流密度化

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概要

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• 2012-03-07

著者

• 金澤 徹

  東京工業大学

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 米内 義晴

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 米内 義晴

  東京工業大学

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