米内 義晴 | 東京工業大学

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概要

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• 東京工業大学の論文著者

関連著者

• 金澤 徹

  東京工業大学

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 米内 義晴

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 米内 義晴

  東京工業大学

• 寺尾 良輔

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学

• 加藤 淳

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 山口 裕太郎

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 寺尾 良輔

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 宮本 恭幸

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 金澤 徹

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

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著作論文

• 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• InGaAs MOSFETの高電流密度化(招待講演,ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFETの高電流密度化
• InGaAs MOSFET の高電流密度化

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