池田 俊介 | 東京工業大学大学院理工学研究科
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概要
関連著者
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池田 俊介
東京工業大学
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宮本 恭幸
東京工業大学
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池田 俊介
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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池田 俊介
東京工業大学大学院理工学研究科
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金澤 徹
東京工業大学
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寺尾 良輔
東京工業大学
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寺尾 良輔
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
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若林 和也
東京工業大学
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齋藤 尚史
東京工業大学
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田島 智宣
東京工業大学
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古屋 一仁
東京工業大学
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古屋 一仁
東工大工
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藤松 基彦
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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Saito Hisashi
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
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平井 準
東京工業大学大学院理工学研究科
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柏野 壮志
東京工業大学大学院理工学研究科
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藤松 基彦
東京工業大学大学院理工学研究科
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加藤 淳
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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米内 義晴
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
米内 義晴
東京工業大学
著作論文
- III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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- C-10-10 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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