III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
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概要
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- 2010-03-26
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
金澤 徹
東京工業大学
-
若林 和也
東京工業大学
-
齋藤 尚史
東京工業大学
-
寺尾 良輔
東京工業大学
-
田島 智宣
東京工業大学
-
池田 俊介
東京工業大学
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
古屋 一仁
東工大工
-
寺尾 良輔
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
池田 俊介
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
Saito Hisashi
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
-
池田 俊介
東京工業大学大学院理工学研究科
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