池田 俊介 | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

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関連著者

• 池田 俊介

  東京工業大学

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 金澤 徹

  東京工業大学

• 寺尾 良輔

  東京工業大学

• 寺尾 良輔

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 古屋 一仁

  東京工業大学院理工学研究科

• 若林 和也

  東京工業大学

• 齋藤 尚史

  東京工業大学

• 田島 智宣

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東工大工

• 藤松 基彦

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• Saito Hisashi

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

• 平井 準

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 柏野 壮志

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 藤松 基彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 加藤 淳

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 山口 裕太郎

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 米内 義晴

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 米内 義晴

  東京工業大学

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著作論文

• III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-10 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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