C-10-10 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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概要

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• 2011-08-30

著者

• 金澤 徹

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学大学院理工学研究科

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