半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化

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概要

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• 2012-05-10

著者

• 池田 俊介

  東京工業大学

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 平井 準

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 柏野 壮志

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 藤松 基彦

  東京工業大学

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