C-10-1 ソースフィールドプレートGaN HEMTのドレインソース間容量とドレイン抵抗のトレードオフの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-09-03
著者
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
山口 裕太郎
三菱電機株式会社
-
林 一夫
三菱電機株式会社
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