絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
電子ランチャから飛び出したホットエレクトロンの走行領域が真性半導体とすると、散乱を抑制した高速動作が期待できる新しいホットエレクトロントランジスタの可能性がある。従来電子ランチャを二重障壁トンネルバリアで、電子を引き出すための真性走行領域の両脇に配置するゲートをショットキーゲートで素子を作製したが、低電流密度とゲートへのリーク電流が観測された。今回は性能向上のために絶縁ゲートにより熱電子放射を制御するホットエレクトロントランジスタを作製した。作製した素子において室温でゲートが絶縁し、且つゲートによるコレクタ電流変調を確認した。また、エミッタ接地特性において電流密度が160kA/cm^2と大きくなり、コレクタからゲートへの逆注入電流を抑制することができた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-12-01

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク