ホットエレクトロンの回折/干渉素子のためのナノ構造アライメント技術
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概要
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ダブルスリットによるホットエレクトロンの干渉の観測のための素子構造の実現にむけて微細加工技術を開発した。作製技術として再成長の前後の電子ビーム露光の重ね合わせを行い、70nm周期のGaInAs, InP埋込み構造と70nm周期の微細電極とのアライメントを実現した。その位置合わせ精度は約40nmである。干渉検出のための40nmピッチの微細電極を単層レジストのリフトオフによって形成した。また2段階ウェットケミカルエッチングを用いて40nm周隔のInPダブルスリット構造を実現した。
- 1994-10-11
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
鈴木 淳
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
本郷 廣生
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
須原 理彦
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
宮本 恭章
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
本郷 廣生
NECグリーンイノベーション研究所
-
鈴木 淳
東京工業大学工学部 経営工学科
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