半導体ダブルスリットデバイス作製とホットエレクトロン干渉観測
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概要
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半導体中埋込みダブルスリットによるホットエレクトロン干渉像の観測の為の実験に関して報告する。ホットエレクトロン干渉像の観測の為の極微細周期Cr/Au電極の電気的特性の測定を行った。周期100nm、厚さ20nm、長さ4μm(半導体と500nmに渡って接触)、幅40nmの微細電極において、コンタクト抵抗の測定を行い、断線が起こっていないことも確認した。またダブルスリット通過後のホットエレクトロン干渉像の観測を磁場印加により試みた。0.1eV程度のエネルギーを持つホットエレクトロンをシングルトンネル障壁により生成し、半導体中に埋め込まれた40nm間隔のダブルスリットを通過後、ニ電極コレクタで電流検出を行うデバイスを作製した。磁場印加により、コレクタ電流の極小点を観測した。シュミレーションとの比較より、極小点が千渉により起こった可能性があり、その変調量は推定値と良い一致を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
本郷 廣生
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
須原 理彦
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
本郷 廣生
NECグリーンイノベーション研究所
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