大気中STMによるInP表面加工とInP/GaInAs界面の観察
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概要
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大気中STMによる半導体表面の超微細加工の基礎実験を行った。更に、半導体界面を観察した。それをする前に、半導体表面を安定化させる表要がある。我々は硫化アンモニウム[(NH_4)_2S_x]処理により平坦な表面を作って安定なSTM像を観察した。試料として、(NH_4)_2処理を30秒行ったn-InP劈開面を用いた。その表面は硫黄原子によって終端化させる。微細加工をするために、探針からパルス電圧を印加して表面に穴を開けた。穴の部分では、電圧印加により硫黄原子を取り除いてInP結晶を露出している可能性があると考える。それに、パルス・パラメータの印加電圧Vpと印加時間tpの効果を調べた。ヘテロ界面の観察について、安定にInP, GaInAs界面をSTM観測した。それで半導体界面の観測が大気中STMで可能性となり、超微細な埋込み構造などの観測への応用があると考える。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-18
著者
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