半導体中の規則配置不純物イオンによる電子の散乱現象

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
我々は、不純物イオン散乱を抑制する方法として、「組織ドーピング」を提案し、すでに、千個の不純物イオン(δポテンシャル)を単純立方格子状に規則配置した時、[001]方向に伝搬する電子波を除いて、電子の散乱確率が1桁以上抑制されることを理論的に示した。しかし、実際のデバイスにおいては、不純物イオンはスクリーニング効果を受け、スクリーニングポテンシャルを持つ。そこで、スクリーニングポテンシャルをもつ不純物イオンを規則配置したときの、電子の散乱断面積を理論解析したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク