共鳴トンネルダイオードを用いたGaInAsにおけるホットエレクトロンのコヒーレンス長評価
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概要
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共鳴トンネルダイオード(RTD)の共鳴準位幅とホットエレクトロンのコヒーレンス長との関係を理論的に調べた。共鳴準位幅はGaInAs, InP RTDのJ-V特性の二階微分から測定した。測定結果と理論解析とを比較検討し、ホットエレクトロンのコヒーレンス長が70〜110nm以上になることを評価した。
- 1994-11-18
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
須原 理彦
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
小泉 竜也
東京工業大学工学部
-
姜 永鉄
東京工業大学工学部
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