Increase in Collector Current in Hot-Electron Transistors Controlled by Gate Bias
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2007-03-25
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
MIYAMOTO Yasuyuki
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
FURUYA Kazuhito
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
SUWA Akira
Department of Rheumatic Diseases, Tokyo Metropolitan Ohtsuka Hospital
-
KASHIMA Issei
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
Kashima Issei
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Suwa Akira
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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