HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

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概要

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• 高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考察を行った。本特性は電流密度の十分低い領域では比例特性を示すが、数MA/cm^2を超える高電流密度領域においては比例特性から逸脱し上に凸な曲線を描く。これは、要素分解の手法すなわち全遅延時間対電流の逆数特性において電流の逆数を0へと外挿し、電流依存項と非依存項に分解する手法に誤差が生じることを意味し、典型的な誤差としては30fs程度と超高速HBTでは無視できない値である。

• 2010-01-06

著者

• 古屋 一仁

  東京工業大学院理工学研究科

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東工大工

• 山田 真之

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 上澤 岳史

  東京工業大学大学院理工学研究科

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