山田 真之 | 東京工業大学大学院理工学研究科

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概要

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関連著者

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 山田 真之

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 古屋 一仁

  東京工業大学院理工学研究科

• 上澤 岳史

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 古屋 一仁

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東工大工

• 内田 建

  東京工業大学

• 内田 建

  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 宮本 恭幸

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 宮本 恭幸

  東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻

• 山田 真之

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

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著作論文

• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 (マイクロ波)
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
• InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討
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