内田 建 | 東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

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  東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻

• 内田 建

  東京工業大学

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  「応用物理」編集委員会

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  東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

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  東京工業大学大学院理工学研究科

• 節原 裕一

  「応用物理」編集委員会

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• 宮本 恭幸

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• 田尾本 昭

  「応用物理」編集委員会

• 宮本 恭幸

  東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻

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著作論文

• 半導体の不純物によるキャリアと反転層のキャリアの違いは?
• CT-2-1 歪みによるCMOSデバイスの高性能化(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• 表面分光の最前線 : さらなる高分解能を目指して
• 半導体に不純物が入ると? 材料による違いは?
• InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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